华灿光电108亿投建先进半导体与器件项目
类别：行业新闻发表于：2018-02-23 09:53
摘要：华灿光电就在义乌信息光电高新技术产业园区投资建设先进半导体与器件项目签署《华灿光电先进半导体与器件项目投资框架协议》并由义乌市人民政府作为见证方。
华灿光电（下称“公司”）发布公告，公司就在义乌信息光电高新技术产业园区投资建设先进半导体与器件项目签署《华灿光电先进半导体与器件项目投资框架协议》并由义乌市人民政府作为见证方。
据公告显示，项目内容包括：①LED外延及芯片；②蓝宝石衬底；③紫外LED；④红外LED；⑤microLED；⑥MEMS传感器；⑦垂直腔面发射激光器（VCSEL）⑧氮化镓（GaN）基激光器；⑨氮化镓（GaN）基电力电子器件等先进半导体与器件项目。项目计划总投资人民币108亿元。需建设用地约500亩，预计总建设周期为7年。
华灿表示，本协议的签署，符合公司的战略发展需要，有利于提升未来发展空间，为公司未来的发展注入动力。本项目如顺利实施将有助于公司的业务拓展，为公司持续发展提供支持和保障，通过积累项目的建设和运营经验，提升公司的核心竞争力和行业影响力。此外，本协议的签订对公司2018年度的营业收入、净利润等生产经营不构成重大影响，对公司长期收益的影响具有不确定性。
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