大族激光新推MicroLED激光剥离设备

    Micro LED显示拥有优越的性能，但是在技术层面还有待突破，其中一项关键技术就是外延衬底的剥离。基于GaN发光材料的Micro LED芯片，由于GaN与蓝宝石晶格失配度较低且价格低廉，所以蓝宝石衬底成为外延生长GaN材料的主流衬底。但是，蓝宝石衬底的不导电性、差导热性影响着Micro LED器件的发光效率；同时，脆性材料蓝宝石不利于Micro LED在柔性显示方向的运用，基于以上原因及Micro LED显示本身分辨率高、亮度高、对比度高等优势特点，激光剥离蓝宝石是必要且关键的环节，且激光剥离技术更能凸显Micro LED的优势。

针对GaN基Micro LED和垂直结构LED晶圆蓝宝石衬底的剥离，大族显视与半导体成功研发并推出全自动LLO激光剥离设备。

该设备采用全固态半导体（DPSS）激光器作为光源，自主研发的266nm波长可用于稳定生产的激光倍频模组，具有稳定周期长、维护成本低的优点；激光光束、功率稳定，激光效率远高于国外的准分子设备，优越的加工性能尤其对于一些特殊的外延衬底（如图形化蓝宝石衬底等）的剥离表现优异；聚焦焦深长达1000μm，对于有翘曲的晶圆，在一定范围内也可保证很稳定的剥离效果；设备稳定性好，可全自动上下料、24小时持续生产，大幅节省人力成本；加工幅面大，可选择性加工2~6寸晶圆，并搭载高精度CCD相机，能精准实现区域剥离；加工效率高，以4寸晶圆为例，单片加工完成只需140秒左右，而传统准分子设备需要300秒以上。优异的性能表现使得设备已在行业内多家光电公司、研究所和高校通过性能验证并稳定运行。