EOSRL实现Micro LED芯片巨量转移技术重大突破
类别:行业新闻发表于:2019-05-24 09:56
关键字:EOSRL LED芯片
摘要:据悉,台湾工业技术研究院(ITRI)下属的电子与光电子系统研究实验室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量转移技术上实现了重大突破。
据悉,台湾工业技术研究院(ITRI)下属的电子与光电子系统研究实验室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量转移技术上实现了重大突破。
EOSRL总监Wu Chih-i表示,多年来,EOSRL一直在通过与LED驱动IC设计公司聚积科技和Micro LED显示器制造商PlayNitride合作,进行Micro LED巨量转移技术的研发。因为Micro LED技术的商业应用取决于产量和巨量转移效率是否足够高,以使产品成本保持在可接受的水平。一些Micro LED制造商声称在巨量转移方面取得了成功,但事实上,他们的巨量转移过程耗时太长,以至于商业化的成本太高。
Wu指出,EOSRL能够在一小时内巨量转移多达10,000个Micro LED,并将于2019年第四季度开始试生产。此前在5月14日至16日举行的SID展示周上,EOSRL就展示了将Micro LED巨量转移到PCB、PI(聚酰亚胺)和玻璃基板上的技术。
聚积科技表示,基板材料的选择取决于Micro LED的应用,玻璃基板适用于电视和智能手机,PCB基板适用于大尺寸Micro LED显示屏,硅晶圆则是适用于头戴式智能设备显示器。
来源:OFweek半导体照明网
【免责声明】本站部分图文内容转载自互联网。您若发现有侵犯您著作权的,请及时告知,我们将在第一时间删除侵权作品,停止继续传播。





陕公网安备 61019002000416号

业务咨询