东北大学开发出低电流下高效发光的GaN Micro LED

产业技术综合研究所和东北大学于2019年7月宣布，他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN（氮化镓）Micro LED。他们试做的GaN Micro LED尺寸仅为6μm见方，如果把这款GaN Micro LED以较高的密度排列的话，就可以获得高效率、高分辨率的Micro LED显示屏。

本次研究中，产总研致力于研究通过中性粒子光束蚀刻（Beam Etching）技术制作具有GaN纳米结构的LED；日本东北大学开发了对半导体材料几乎不会产生损伤的中性粒子光束蚀刻技术（Beam Etching）。两家单位通过合作，共同开发了GaN Micro LED。

该研究小组此次采用了中性粒子光束蚀刻（Beam Etching）技术和传统的ICP蚀刻（Etching）技术，分别制作了4种不同尺寸（40μm见方、20μm见方、10μm见方、6μm见方）的GaN Micro LED。

关于6μm的Micro LED，当电流密度为5A/cm2时，比较了采用两种技术后的发光效率。结果，利用中性粒子光束蚀刻技术试做的产品的发光效率几乎是ICP蚀刻技术的5倍。

使用6μm的Micro LED，显示屏的分辨率就会超过2000像素（Pixel）/英寸，那么就可以应用于虚拟现实（AR）、扩展现实（XR）的头戴式显示屏（Head Mount Display）等用途。

责编：邓蕊玲