PlayNitride自曝Micro LED转移良率达99.9％，8月底开始试产

公司董事长兼首席执行官Charles Li称，PlayNitride将于2019年8月底开始试产Micro LED芯片。Charles Li表示：PlayNitride已筹集了5000万美元的资金用于Micro LED生产，并将员工人数扩大到100人。

业内人士透露：Micro LED芯片制程中的技术瓶颈在于，要将尺寸小于100μm的芯片以阵列形式转移到基板上，良率达到99.999％，难度极大，使得Micro LED显示屏的成本非常高。

“实际上99.999％的良率没有必要，PlayNitride的转移良率已达到至少99.9％，欠缺的部分可以通过检测修复来弥补”Charles Li说，“在转移速度方面，PlayNitride已达到了10,000颗/秒的水平。”

PlayNitride计划将Micro LED芯片率先用于大尺寸电视、智能可穿戴设备和车用显示。

Charles Li表示：“公司已经拥有超过10个潜在客户。在大尺寸电视的应用上，Micro LED应该与OLED、液晶展开差异化竞争，例如，可以定制电视机尺寸和分辨率，并与周围环境无缝贴合。”

此外，PlayNitride与PMOLED面板制造商RiTdisplay合作开发的，用于智能可穿戴设备的彩色Micro LED显示器，预计将于2019年下半年开始生产。

还有消息人士透露，PLayNitride目前是三星电子Micro LED芯片的独家供应商，三星电子将于2019年第三季度推出家用模块化微型LED电视The Wall Luxury。

月前，PLayNitride与台湾工研院、聚积科技、欣兴电子合作研发的MicroLED也曝出新进展：芯片尺寸在100μm以内，间距约700μm以下、分辨率为96x160pixel的显示模组，实现了到PCB基板上的RGB三色转移。

早在5月14日，PLayNitride还与铼宝科技达成策略结盟，定下第*阶段目标：共同开发量产3英寸以下小尺寸彩色Micro LED。

在当天的美国SID展上，PLayNitride还展出了7.56英寸、720x480（114 PPI）的Micro LED显示器，透明度高于60％，边框小于0.8毫米。该显示器由天马提供LTPS TFT背板，PlayNitride提供LED芯片和转移技术。

今年1月9日，PlayNitride与AIXTRON（爱思强）达成合作，获得了制造GaN的AIX G5 + C MOCVD系统，两家通过签署联合合作协议，在技术和商业上迈出了坚实一步。

责编：邓蕊玲