加码新技术三安设立Mini/Micro LED研发基地

类别：行业新闻发表于：2019-08-22 09:40

摘要：据业内人士称，三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地，投资额为120亿元人民币（17亿美元）。

据业内人士称，三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地，投资额为120亿元人民币（17亿美元）。

消息人士表示，三安将在该研发基地展开GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K显示器的研发。与此同时，三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED芯片、750,000个GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000个4K显示器的年生产能力。GaN业务部门年产能将包括720,000个蓝光Mini LED芯片、90,000个蓝光Micro LED芯片、720,000个绿光Mini LED芯片和80,000个绿光Micro LED芯片，而GaAs业务部分年产能将包括660,000个红光Mini LED芯片和90,000个红光Micro LED芯片。

然而，消息人士指出，三安光电目前尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。

此外，三安光电已经与三星电子合作，共同开发Mini/Micro LED技术。

而总部位于中国台湾的PlayNitride，则计划在2019年8月底开始试产多达3000片LED外延片，而三星也已选择PlayNitride作为其Micro LED外延片的独家供应商。

责编：邓蕊玲

来源：OFweek半导体照明网

【免责声明】本站部分图文内容转载自互联网。您若发现有侵犯您著作权的，请及时告知，我们将在第一时间删除侵权作品，停止继续传播。