大面积单片集成MicroLED!这家公司靠它拿到三星的战略投资
摘要:美国公司iBeam Materials今天宣布,三星风险投资公司已经在iBeam担任投资职务。iBeam称,它是全球少数几家吸引三星在其MicroLED领域进行战略投资的公司之一。
美国公司iBeam Materials今天宣布,三星风险投资公司已经在iBeam担任投资职务。iBeam称,它是全球少数几家吸引三星在其MicroLED领域进行战略投资的公司之一。
iBeam官方表示,MicroLED显示器的亮度和效率是传统LCD和OLED技术的10倍,可用于户外显示器,在阳光下依然清晰可见,同时不会过多消耗移动设备中的电量。
半户外显示应用(图片来源:iBeam官网)
在技术路径上,iBeam并没有采用传统的蓝宝石或硅衬底,而是通过金属箔基板实现大面积、可卷曲的显示器。其中,金属箔在最终产品中提供强度和散热,同时保持其柔韧性;MicroLED则与使用GaN FET的有源矩阵电路单片集成。
金属箔基板上的LED(图片来源:iBeam官网)
“三星的投资标志着iBeam材料新时代的开始,”iBeam创始人兼首席执行官Vladimir Matias表示:“我们现在可以加快技术开发进度,扩展到更大面积的基板和关键产品上去。”
“iBeam在LED方面取得的突破使得LED可以在大面积基板上制造,而不是目前业内使用的较小的单晶硅片。”三星风险投资公司的代表说。
可卷曲的金属胶带(图片来源:iBeam官网)
InGaN(氮化铟镓)LED是LED照明革命的基础,但目前GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件在单晶硅片上进行制造限制了尺寸、成本和热管理。
根据美国能源部ARPA-E机构计划的说法,iBeam使用取得专利的替代工艺制成的LED和HEMT器件,可以将外延GaN器件直接沉积在各种基板上,包括薄而柔韧的大面积金属箔。该工艺可提供更低的热阻,并实现可卷曲制造。
有观点认为:iBeam通过在非单晶衬底(GaNoX)上生长的外延GaN(氮化镓)器件,创造性地改变了相关产品的游戏规则,正在打破显示器、照明和可穿戴电子行业壁垒。
穿戴式显示应用(图片来源:iBeam官网)
责编:邓蕊玲
来源:行家说新闻中心
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