韩国公司使用激光技术简化Micro LED量产工艺

韩国公司LC Square近日宣布开发出一种工艺技术，该技术可使激光器将晶片上的Micro LED芯片分离，同时将其排列到中介层上。

Micro LED显示屏制程分为四个阶段。首先在蓝宝石晶圆上生长Micro LED芯片，然后将芯片分离转移到中介层。接着将中介层上的芯片移到显示驱动器背板上进行排列，实现最终显示。

由于Micro LED显示器使用微小的LED（通常小于100µm）作为像素，必须紧密排列数百万个LED。每颗LED都需要转移，会花费很多时间，大大增加了制造成本。

Micro LED显示器制造步骤

LC Square的技术简化了Micro LED的制造过程，有助于实现Micro LED显示器大规模量产。

首先利用激光缩短中介层的制造过程。当前商用Micro LED中介层的制造有15个步骤。为使芯片更易于放置在背板上，需要将LED芯片与晶圆分离。LC Square将其缩减到三到四个阶段。LC Square首席技术官Choi Jae-hyuk表示：“半导体工艺简化了目前复杂的激光方法。”

LC Square的工艺可以在四分钟内将120万个芯片分离并转移至中介层，产率为99.99％，Micro LED芯片的排列对准误差仅为±2㎛。

LC Square中介层的制造过程

LC Square开发的激光转移技术不但受惠于激光速度快，而且可以选择性地转移Micro LED芯片，对Micro LED显示器的批量生产也很有帮助。

LC Square CTO Choi Jae-hyuk表示：“使用当前的商业化技术制作Micro LED 4K显示器需要两个多小时，而使用激光转移技术仅需要30分钟左右。”

据悉，LC Square计划于2020年1月在美国CES上展示其Micro LED技术。