总投资37亿元的吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目落户无锡

文章转载自：化合物半导体市场

近日，总投资150亿元的无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目，总投资37亿元的吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目也正式签约。

此次先导集团建设全国首个集成电路装备和核心材料产业园，携手业界知名公司共建化合物半导体国产自主创新供应链，合作研制新型定制化、差异化的设备、零部件和材料，形成具有产业特色的集成电路特色装备与材料的产业生态，必将为无锡加快打造培育“世界级”产业集群，做强产业链各环节，促进产业基础高端化，提升产业链现代化水平，夯实无锡经济的“产业底盘”做出新的贡献。高新区将进一步细化市委市政府政策，进一步优化区域营商环境，推动企业复工复产，为无锡当好全省高质量发展领跑者做出贡献。

据无锡高新区报道，无锡先导集成电路装备与材料产业园项目规划占地700亩，总投资150亿元，拟分3期进行建设。整个产业园以总部大楼、特色IC设计孵化器、专用装备基地、高端材料区、特色工艺区进行布局，计划5年后形成国内领先的半导体装备与核心零部件材料产业集群，最终形成具有产业特色的集成电路特色装备与材料的产业生态，填补无锡地区的产业链空白。

而吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目为首个落户无锡先导集成电路装备与材料产业园的项目，主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。项目总投资约人民币37亿元，计划用地50亩，全部建成投产后，不仅能够打通从材料到芯片到器件的整个产业链，创造年30亿元的销售额，还能够填补无锡市在化合物半导体原材料领域的空白，提升我国半导体事业的发展水准。