国星光电：国星半导体已申请200多篇氮化镓专利

文章转载自：LEDinside

近日，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示技术研究”项目皆已获批广东省重点领域研发计划项目，按计划正常实施中。

同时，国星光电表示，国星半导体主要业务包括蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。氮化镓基产品包含蓝绿显屏芯片，数码用芯片，白光照明芯片，车灯用大功率倒装芯片，UVA紫光芯片等。

据透露，国星光电美国子公司RaySent科技公司将相关硅衬底GaN外延及垂直结构LED芯片的主要技术依照约定已转移给子公司国星半导体，由国星半导体在应用场景继续进行上述技术的后续研发和产业化推进。Raysent已在美国申请数项专利，国星半导体目前已申请氮化镓的专利200多篇，其中硅基氮化镓技术专利4篇。

国星光电表示，公司正积极进行第三代半导体相关的技术储备，后续应用需视市场需求与技术结合情况而定。