三星弯道超车 2年后赶上台积电：3nm独一无二

    文章转自：TechWeb

    在半导体晶圆代工上，台积电一家独大，从10nm之后开始遥遥领先，然而三星的追赶一刻也没放松，今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电，2022年将量产3nm工艺。

    从2019年开始，三星启动了一个“半导体2030计划”，希望在2030年之前投资133万亿韩元，约合1160亿美元称为全球最大的半导体公司，其中先进逻辑工艺是重点之一，目标就是要追赶上台积电。

    在最近的几代工艺上，三星的量产进度都落后于台积电，包括10nm、7nm及5nm，不过5nm算是缩短了差距，今年也量产了，此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

    但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上，因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管，是全球第1家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的，而台积电比较保守，3nm还是用FinFET，2nm上才会使用GAA工艺。

    新消息称，三星半导体业务部门的高管日前透露说，三星计划在2022年量产3nm工艺，而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺，如此一来三星两年后就要赶超台积电了。

    值得一提的是，台积电也似乎感受到了三星的压力，原本计划2024年才推出2nm工艺，现在研发顺利，2023年下半年就准确试产了。