红光Micro LED芯片获新突破
类别：行业新闻发表于：2021-05-18 15:48
关键字：MicroLED
摘要：据外媒报道，沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）团队在研究InGaN基红光Micro LED芯片方面获得了突破性进展，开发出了一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，外量子效率有所提升，可望助力实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器。
据外媒报道，沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）团队在研究InGaN基红光Micro LED芯片方面获得了突破性进展，开发出了一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，外量子效率有所提升，可望助力实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器。
边长47μm的红光Micro LED芯片
基于此，KAUST团队制造了一系列边长为98μm或47μm的方形芯片。其中，47μm芯片的峰值波长为626nm，外量子效率可达0.87%；而且，红光Micro LED的颜色接近行业标准Rec. 2020定义的原红色，因此KAUST认为颜色纯度达到了最 佳状态。
KAUST团队下一步计划也将力争改善尺寸更小（或小于20μm）的红光Micro LED芯片的效率。未来，KAUST期望通过集成基于氮化物的RGB LED来制造全彩化显示器。
来源：LED屏显世界搜搜LED网
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