以GaN-on-GaN打SiC！这家公司拟收购世界500强企业的GaN衬底业务

文章转载自：化合物半导体市场

据外媒报道，韩国GaN外延材料开发商IVWorks收购了法国材料专业生产商圣戈班集团（Saint-Gobain）的GaN衬底业务，计划在高功率应用领域供应GaN-on-GaN外延片，对打SiC材料，抢攻电动汽车市场。

资料显示，IVWorks成立于2011年，总部位于韩国大田市，主要生产应用于射频及功率电子市场的GaN-on-Si/SiC外延片。

IVWorks自称是韩国唯 一一家成功量产4/6/8英寸GaN外延片的半导体材料专业厂商，并自主开发了全球首款结合人工智能生产系统的外延生产技术。不仅如此，该公司最近还在韩国首次安装了12英寸生产设备。

据化合物半导体市场了解，IVWorks主要采用混合式MBE技术（Hybrid-MBE）生产高质量GaN外延片。2020年8月，IVWorks与全球MBE（分子束磊晶技术）巨头英特磊IET-KY达成合作，共同开发基于MBE技术的GaN外延片，瞄准全球射频和电力器件市场。

Saint-Gobain成立于1665年，总部位于法国巴黎，是世界500强企业之一，主营业务是设计、生产及分销材料，服务于建筑、汽车、工业、航空、健康、防御、安全及饮食等诸多市场。

IVWorks的CEO Young-Kyun Noh表示，GaN功率器件在能效方面的优势明显，在各种电子产品中发挥着越来越来重要的作用，其中，电动汽车应用市场作为新兴应用领域，已发现GaN材料的应用潜力，并开始高度关注。

IVWorks进一步指出，GaN外延片主要用于生产快速充电器、电动车功率转换器、国防雷达等的功率器件，其通常在硅或SiC衬底上生长，而垂直结构GaN器件在电动车动力系统等高功率器件中有着很大的需求。

IVWorks认为，法国Saint-Gobain及住友和三菱等日本企业正在引领GaN衬底技术发展，通过收购Saint-Gobain的GaN衬底业务，IVWorks将掌握4/6英寸GaN衬底量产技术。

同时，公司将扩大产品组合，向高功率应用领域供应GaN-on-GaN外延片，并在电动汽车市场迎战SiC材料。