Enkris 发布全彩 GaN 产品用于Micro LED 应用

近日， Enkris Semiconductor已发布其晶圆尺寸更大的 Full Color GaN® RGB 系列产品微显示行业300mm。据悉，Enkris Semiconductor位于中国苏州工业园区，是一家为电力电子、Micro LED 和 UVC 应用提供氮化镓 (GaN) 外延片的纯代工企业。

在更大的晶圆尺寸（200-300mm）和更好的表面质量方面，GaN-on-Si LED 显示出优于其他用于 Micro LED 技术基板的优势。此外， Enkris通过利用 200mm/300mm 制造厂中最先进的硅处理技术，可以制造高性能微型 (5µm 2 ) Micro LED 像素阵列，并将其集成在硅 CMOS 驱动器上，并且成品率很高。

增强现实 (AR) 和混合现实 (MR) 设备等近眼显示器需要在同一材料平台上集成高效、超细间距 (<5µm) 的红色、绿色和蓝色像素。氮化铟镓 (InGaN) 材料可以通过调整铟含量来高效发光，跨越整个可见光谱范围。尽管已经实现了高效的蓝色和绿色 InGaN LED，但由于有源区的明显应变以及 InGaN 量子阱之间的大晶格失配导致结晶质量差，因此生长高效红色 LED 仍然非常具有挑战性。Enkris Semiconductor 通过使用其获得专利的应变工程和极化工程成功地克服了这些困难（图 1 和 2）。

波长均匀性是 Micro LED 显示器的关键因素。Enkris 表示，其全彩 GaN RGB 系列在整个 200 毫米晶圆上具有出色的波长均匀性（图 3）。此外，GaN-on-Si 蓝色 LED 晶圆的直径可达 300mm，波长相当不错，标准偏差小于 2nm（图 4）。

另外，Enkris 还展示了基于全彩 GaN RGB 系列 200mm 外延片的 RGB Micro LED 阵列，像素尺寸范围为 2µm 至 50µm（图 5 和图 6）。得益于高质量的外延片，所有像素都可以点亮，即使是每个 2µm 2像素（在 100 x 100 阵列中）。

“对于 Micro LED 的单片集成，将所有三种颜色集成到大尺寸 GaN-on-Si 的单一材料平台中是关键的一步。”Enkris 创始人兼首席执行官程凯博士说。“我们的全彩 GaN 系列产品将满足行业对 AR/MR 系统的要求。此外，GaN-on-Si 晶圆尺寸可放大至 300mm，我们于 2021 年 9 月推出了 1200V 300mm GaN-on-Si 平台。300mm GaN-on-Si LED 新平台将在GaN光学器件、GaN电子器件和硅器件的异质集成，”

据他介绍，Enkris 现在能够为显示行业提供真正的 RGB GaN-on-Si 外延解决方案，并推动全彩微型显示器的开发。目前，Enkris 的全彩 GaN 系列产品可用于 GaN-on-Si 和 GaN-on-sapphire 晶圆。