JBD：50万尼红光Micro LED微显示器量产

   近日，JBD表示其0.13英寸红光微显示器产品突破了效率限制，像素尺寸仅4微米，Micro LED发光点仅2微米，实现了50万尼特的亮度水平，刷新了其既往保持的亮度记录。相比较基于量子点色转换的QD-LED及Micro OLED作为另外两项主流的自发光微显示技术，根据目前公开仅数千尼特的亮度水平，JBD的红光芯片实现了数十倍的性能超越。

   JBD的红光产品是基于其发明的混合集成半导体技术，将AlGaInP半导体材料与硅基CMOS于晶圆级集成而产生的自发光微显示器。AlGaInP半导体材料是实现高性能红光的关键，其拥有最匹配红光的半导体禁带宽度，是行业中用于制作红光LED最成熟的半导体材料。

   除了超高的亮度之外，JBD的AlGaInP基红光产品实现了极窄的发光谱宽，在色纯度方面表现更佳。如下图所示，该产品的光谱半波宽仅约15nm，远低于InGaN基红光近50nm及QD-LED近30nm的典型半波宽度。在JBD的专利IC背板技术加持之下，红光产品实现了>95%的像素级显示均匀性、>100000:1的超高对比度、以及<1%的相邻像素间串扰。

图.典型的AlGaInP LED电致发光光谱，半波宽~15nm

   迄今，JBD已实现微显示面板出货超百万个，源源不断地向下游Micro LED终端应用产业链提供核心显示元件，加速了Micro LED技术在近眼显示AR/VR、HUD抬头显示、运动光学、3D打印、微投影、光场显示等领域的应用步伐。