技术、专利……Micro LED领域进度条刷新？

近日，Micro LED领域传来新动态。其中，德龙激光表示Micro LED激光巨量转移技术已通过客户测试验证；Micro LED发明专利方面，南京大学和北京大学的发明专利分别进入公布、授权阶段。

德龙激光：激光巨量转移技术已通过客户测试验证

近日，德龙激光在接受调研时表示，上半年度公司Micro LED激光巨量转移技术取得突破，已通过客户测试验证，有望在下半年取得订单。

在Micro LED方面，德龙激光通过自主研发研制了一种激光剥离技术，该技术主要针对蓝宝石衬底的 Micro LED 晶圆巨量转移工艺需求，由于 Micro LED 晶粒尺寸小于50μm，无法采用传统的切割工艺进行分割封装，激光剥离的巨量转移技术成为有竞争力的优选技术。

今年7月，德龙激光表示，公司提前在Micro LED技术领域做了相关技术储备，今年一直在与国内某头部厂家一起进行紧密的合作开发，已基本通过工艺测试。

据悉，德龙激光已于4月29日在上海证券交易所科创板成功上市。

南京大学：Micro LED相关发明专利进入公布阶段

企查查显示，9月20日，南京大学的发明专利“Micro-LED巨量转移方法”已进入公布阶段。

具体来看，在“Micro LED巨量转移方法”专利中，首先要制备好常规衬底上的Micro LED阵列，将光感应胶带与芯片绑定，再将芯片与原衬底进行分离，接着用光照射光感应胶带使其丧失黏性，之后将转移基板对准待转移芯片，进行芯片拾取。

然后，在接收基板上蒸镀好驱动电路，并蒸镀低熔点金属焊点。接着将带有芯片的转移基板对准目标衬底，并施加压力使芯片紧密贴合衬底，然后加热使得转移基板上的热释放胶丧失黏性，同时将焊点熔化。最后恢复常温移开转移基板完成芯片的转移。

该专利指出，本发明可以同时进行芯片的释放与焊接，从而提高了芯片转移的效率，同时可以通过控制转移基板上热释放性胶的图形来转移不同间距不同尺寸的芯片。

北京大学：Micro LED相关发明专利进入授权阶段

企查查显示，9月27日，北京大学的发明专利“一种全彩氮化物半导体Micro LED阵列的单片集成制备方法”已进入授权阶段。

具体来看，在“一种全彩氮化物半导体Micro LED阵列的单片集成制备方法”专利中，需要先制备复合型导电衬底，然后用绝缘模板覆盖在复合型导电衬底上制备模板衬底，将单晶石墨烯完全对齐覆盖在模板衬底上，得到包括石墨烯阵列基元的定制化模板石墨烯衬底。

每个石墨烯阵列基元的蓝区石墨烯阵列元、绿区石墨烯阵列元和红区石墨烯阵列元的表面性质不同，再进行一次原位外延生长垂直结构全氮化物，一次原位得到全彩Micro LED阵列外延片，最后进行封装和制备透明电极，得到垂直结构且顶面出光的全彩氮化物Micro LED阵列。

该专利指出，本发明无需额外的微纳加工工艺，节能环保并适于批量生产，应用于增强/虚拟现实和8K超清显示等用途的显示芯片。