华灿光电“微型发光二极管芯片及其制备方法”专利获授权

类别：行业新闻发表于：2023-06-13 09:38

摘要：天眼查显示，华灿光电（浙江）有限公司“微型发光二极管芯片及其制备方法”专利获授权，授权公告日为6月9日，授权公告号为CN114388672B。

天眼查显示，华灿光电（浙江）有限公司“微型发光二极管芯片及其制备方法”专利获授权，授权公告日为6月9日，授权公告号为CN114388672B。

专利摘要显示，该公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括依次层叠的基板、键合层和发光结构；所述发光结构靠近所述基板的表面设有多个第一凸起，所述第一凸起靠近所述基板的一端的端面面积大于所述第一凸起与所述发光结构相连的一端的端面面积；所述基板靠近所述发光结构的表面设有多个第二凸起，所述第二凸起靠近所述发光结构的一端的端面面积大于所述第二凸起与所述基板相连的一端的端面面积。

据悉，该公开实施例能增强键合强度，使键合层与基板和外延结构连接更紧密，提高芯片的可靠性。

来源：集微网

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