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清华联合凝聚态实验室提升红光Micro LED微显示性能

类别:行业新闻发表于:2023-12-25 14:28

摘要:12月21日消息,清华大学与中国北京凝聚态物理国家实验室宣布,研究团队通过使用独立式氮化镓衬底 (freestanding gallium nitride substrates (FGS)),提升了红光氮化镓 (InGaN)Micro LED器件的效率和阵列均匀性。

   12月21日消息,清华大学与中国北京凝聚态物理国家实验室宣布,研究团队通过使用独立式氮化镓衬底 (freestanding gallium nitride substrates (FGS)),提升了红光氮化镓 (InGaN)Micro LED器件的效率和阵列均匀性。研究人员声称,这是首个蚀刻定义台面尺寸小于5μm的InGaN红光Micro LED。


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InGaN红光Micro LED外延结构


   论文指出,InGaN与传统的红光LED材料AlInGaP相比,优势包括更容易与绿光和蓝光InGaN LED集成,并且由于InGaN材料的载流子向侧壁缺陷的迁移较少,因此可更好地缩小Micro LED器件尺寸。

来源:屏显世界

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