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突发!三星良率0%!

类别:行业新闻发表于:2024-02-04 09:42

摘要:2月2日消息,据韩媒报道,三星3nm工艺存在重大问题,试产芯片均存在缺陷,良品率 0%!

2月2日消息,据韩媒报道,三星3nm工艺存在重大问题,试产芯片均存在缺陷,良品率 0%!

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报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。

据报道,Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构,同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的升级之处在于它将采用 Cortex-X5 和 Cortex-A730 核心,相比 Exynos 2400 的 Cortex-X4 和 Cortex-A720,性能预计将有显著提升。

遗憾的是,Cortex-X5 和 Cortex-X4 的时钟频率差异微乎其微,测试频率在 3.20GHz 和 3.30GHz 之间。具体取决于三星的最终决定,最终可能只会有 100MHz 的微小提升,甚至完全没有区别。

报道指出由于 Exynos 2500 芯片试产失败,三星推迟了大规模生产,目前尚不清楚三星是否有能力及时解决这个良率问题。

据悉,三星的3nm工艺很激进,相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守,三星在第 一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术,而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管,被称为SF3E,也就是3GAE工艺。

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三星3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。

此外,GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO)非常有利,有助于实现更好的PPA优势。与三星5nm工艺相比,第 一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少 35%。

来源:国芯网

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