浅谈LED芯片的重要参数及两种结构分析

    LED芯片主要由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成，主要材料为单晶硅。

    LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件(LED灯)，LED发光的原理主要在于LED芯片的P-N结。一般来说，半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结(LED电视)。

　　当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的(LED显示器)。

　　LED芯片主要由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成，主要材料为单晶硅。

　　LED芯片的分类

　　用途：根据用途分为大功率LED芯片、小功率LED芯片两种;颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色(制作白光的原料);形状：一般分为方片、圆片两种;

　　大小：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等

　　LED芯片结构介绍

　　不同LED芯片，其结构大同小异，有外延用的芯片基板(蓝宝石基板、碳化硅基板等)和掺杂的外延半导体材料及透明金属电极等构成。

　　LED芯片特点

　　1、四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。

　　2、信赖性优良。

　　3、应用广泛。

　　4、安全性高。

　　5、寿命长。

　　LED芯片的重要参数

　　1、正向工作电流If：

　　它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

　　2、正向工作电压VF：

　　参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。

　　3、V-I特性：

　　发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值(叫阈值)时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。

　　4、发光强度IV：

　　发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉,mcd)作单位。

　　5、LED的发光角度：-90°-+90°

　　6、光谱半宽度Δλ:

　　它表示发光管的光谱纯度。

　　7、半值角θ1/2和视角：

　　θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。

　　8、全形：

　　根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。

　　9、视角：

　　指LED发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。

　　10、半形：

　　法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。

　　11、最大正向直流电流IFm：

　　允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。

　　12、最大反向电压VRm：

　　所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值，发光二极体可能被击穿损坏。

　　13、工作环境topm:

　　发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极体将不能正常工作，效率大大降低。

　　14、允许功耗Pm:

　　允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

　　总结

　　我们知道，LED芯片的主要功能是：可以直接把电转化为光，它可以说是LED的心脏。本文简单介绍了LED芯片的基础知识即：LED芯片的分类、结构、特点以及重要参数等内容。