不只三安，这些LED企业也在布局第三代半导体

   最近，三安光电动作频频：继全资子公司三安半导体与TCL华星以3亿元为研发资本金成立联合研发实验室后，三安光电宣布将以160亿元现金在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园。

   后疫情时代，第三代半导体在新基建、新国防以及新民生中潜力无限，受未来广阔发展前景预期的影响，不只是三安光电，国内已经有很多LED企业都在抢滩布局第三代半导体领域。

   三安光电拟投资160亿元建第三代半导体产业园

   6月16日，三安光电发布《关于签署<项目投资建设合同>的公告》，公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。

   根据公告，三安光电在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会于2020年6月15日签署《项目投资建设合同》。公司设立子公司的名称、经营范围等相关信息最终以有权机关核准为准，公司将在取得设立的子公司营业执照后，履行信息披露义务。

   （一）投资项目的基本情况

   为落实第三代半导体产业园项目（以下简称“项目”）的具体实施，根据《民法总则》、《合同法》、《物权法》等有关法律法规规定，双方本着平等自愿、诚实信用、协商一致的原则，订立本合同。

   1、项目具体开发建设内容：投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，在甲方园区研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET，以甲方认可的乙方项目实施主体最终可研报告为准。

   2、项目的实施主体：乙方将在甲方辖区成立控股子公司作为项目实施主体，负责项目的投资、建设及运营。

   3、项目用地：项目拟用地位于长沙高新技术产业开发区，用地面积约1,000亩，土地用途为工业用地，土地使用权年限为50年。

   4、项目投资建设规模和进度：项目总投资人民币160 亿元。甲方承诺依法依规给予乙方和项目实施主体各项投资优惠政策和支持，乙方在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产；72个月内实现达产。投资时序、固定资产投资强度等事项最终以乙方项目实施主体可研报告为准。

   （二）基础设施配套

   甲方出让项目用地的基础设施需达到“八通一平”，接至项目用地红线边；甲方负责在项目用地范围内为乙方项目实施主体建设一座11万伏变电站（双回路），变电站产权归乙方项目实施主体所有；甲方负责协助乙方项目实施主体依法依规根据实际情况需要，在项目建设用地范围内建设特种气体气源、原材料等配套设施，并负责协助乙方项目实施主体办理相关手续；甲方负责解决项目实施主体按照环保标准所需的各种污染物排放量指标批复。

   （三）投资优惠政策

   乙方及项目实施主体应按约履行合同，甲方同意给予乙方项目实施主体补助、扶持、补贴等支持资金，包括科技研发专项扶持、生产要素补贴、两高人才补贴、市场拓展等。

   （四）违约责任

   双方按照公平公正、平等对等原则，履行完成本合同项下责任义务。任何一方违反合同约定义务的，守约方有权要求违约方在合理期限内整改，违约方未在限期内整改或无法整改的，守约方可根据违约程度以及公平对等原则，要求违约方赔偿相应损失，并视情况选择解除合同。

   （五）合同生效条件

   经双方签字盖章后成立，并于双方有权机构审批通过之日起生效。合同还就规划及设计、用地要求及退出条件、不可抗力、其他事项等相关事项进行了界定。

   同时，他们还说了这次对外投资对上市公司的影响。公告表示，公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

   第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

   第三代半导体材料悄然升温

   根据世纪证券公司陈建生的研究报告《从新基建与消费电子看第三代半导体材料》，从应用范围来说，第三代半导体领域还具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点。在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域拥有广阔的应用前景，是支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料。

SiC与GaN处于稳步爬升的光明期

   第三代半导体主要包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）。GaN 衬底技术难度较大，光电子领域中较为成熟。目前，SiC 衬底技术相对简单，主要制备过程大致分为两步：第 一步 SiC 粉料在单晶炉中经过高温升华之后在单晶炉中形成 SiC 晶锭；第二步通过对 SiC 晶锭进行粗加工、切割、研磨、抛光，得到透明或半透明、无损伤层、低粗糙度的 SiC 晶片（即 SiC衬底）。GaN 衬底的生长主要采用HVPE（氢化物气相外延）法，制备技术仍有待提升，行业产量较低，导致 GaN 衬底的缺陷密度和价格较高，目前只有激光器等少数器件采用 GaN 同质衬底；GaN 电力电子器件的衬底主要采用 Si 衬底，部分企业采用蓝宝石衬底，GaN 同质衬底的器件在研发中；GaN 射频器件主要是 SiC 高纯半绝缘衬底，少数企业采用 Si 做衬底；GaN 光电子器件是 GaN 材料最成熟的领域，基于蓝宝石、SiC 和 Si 衬底的蓝宝石 LED产业已经进入成熟阶段。

全球第三代半导体产业格局

   高技术门槛导致第三代半导体材料市场以日美欧寡头垄占，美欧等经济体持续加大化合物半导体投入。2018年，美国、欧盟等国家和组织启动了超过15个研发项目。其中，美国的研发支持力度最大。2018年美国能源部（DOE）、国防先期研究计划局（DARPA）、和国家航空航天局（NASA）和电力美国(Power America)等机构纷纷制定第三代半导体相关的研究项目，支持总资金超过 4 亿美元，涉及光电子、射频和电力电子等方向，以期保持美国在第三代半导体领域全球领先的地位。此外，欧盟先后启动了“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台（SERENA）”项目和“5GGaN2”项目，以抢占 5G 发展先机。

2025第三代半导体材料发展目标

   先进半导体材料已上升至国家战略层面，2025年目标渗透率超过 50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学，在2025中国制造中，分别对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块、电力电子器件/模块、射频器件/模块等细分领域做出了目标规划。在任务目标中提到2025实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%；在新能源汽车、消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。

   目前第三代半导体材料已逐渐渗透5G、新能源汽车、绿色照明等新兴领域，被认为是半导体行业的重要发展方向。未来，5G对高功率射频的需求，手机和笔电对高效轻小快充的需求将在2020-2021年爆发，疫情对深紫外UVC的需求将在2020年短期内集中爆发。中长期来看，三类需求面对的都是GaN器件的蓝海市场，具有可观的增长空间。

   布局第三代半导体材料的企业

   华灿光电

   4月23日，华灿光电召开了2019年年度股东大会、第四届董事会第 一次会议和第四届监事会第 一次会议，分别审议通过了董事会、监事会换届选举和高级管理人员的换届聘任的相关议案。华灿光电表示，对新一届管理团队的调整，将持续优化公司治理结构，助力公司立足主业，战略布局第三代半导体技术。

   公司今年4月3日发布非公开发行预案，拟募集资金总额不超过15亿元，其中mini/MicroLED的研发与制造项目拟投入12亿元，GaN基电力电子器件的研发与制造项目拟投入募集资金3亿元。公司表示，通过本次非公开发行筹集长期发展所需资金，将强化公司提供高端半导体类产品的能力，巩固公司在LED芯片行业的龙头地位，并积极抢占GaN功率器件领域的国内领先地位。

   华灿光电自成立以来专注半导体材料与器件的研发和生产，目前为国内第二大LED芯片制造商。该公司在深耕LED芯片领域的同时，利用其科研优势在第三代半导体其他领域进行积极的研发储备，并取得了重要进展。

   据了解，2019年9月间，华灿光电宣布全资孙公司光华(天津)投资管理有限公司(天津光华)与子公司华灿光电(浙江)有限公司所共同设立的天津海河灿芯半导体股权投资合伙企业(有限合伙)(灿芯半导体)拟募集资金30亿元。其中，为完成灿芯半导体后续资金的募集，天津光华作为灿芯半导体的普通合伙人暨基金管理人，出资人民币100万元。而本次投资的基金主要对智能传感器、集成电路及其他新兴智能科技产业进行直接或间接股权或准股权投资。

   国星光电

   国星半导体氮化镓专利已申请200多篇，正积极进行第三代半导体相关的技术储备-近日，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示技术研究”项目皆已获批广东省重点领域研发计划项目，按计划正常实施中。

   近日，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示技术研究”项目皆已获批广东省重点领域研发计划项目，按计划正常实施中。同时，国星光电表示，国星半导体主要业务包括蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。氮化镓基产品包含蓝绿显屏芯片，数码用芯片，白光照明芯片，车灯用大功率倒装芯片，UVA紫光芯片等。

   澳洋顺昌

   子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

   深康佳

   康佳布局第三代半导体业务可谓大手笔，19年3月四川宁的康佳电子科技产业园正式开工建设。预计遂宁康佳电子科技产业园总投资100亿元，占地约2000亩，包括1000亩康佳电路产业园及1000亩康佳电子产业园区。项目建设周期预计2-3年，建成投产后将实现200亿元年产值。19年6月3日晚间，康佳集团发布公告称，为了加快公司半导体业务发展，与重庆市璧山区人民政府签署了《合作框架协议》和《工业项目投资合同》，拟在重庆市璧山区建设重庆康佳半导体光电产业园，并引入光电行业的相关项目。根据公告，该光电产业园项目将由康佳集团及重庆康佳半导体光电产业园的其他入园企业共同投资。康佳集团将力争该项目在璧山区总投资达到300亿元，一期项目总投资力争达到75亿元，确保5年内总投资不低于50亿元。本次合作协议的签署，符合本公司战略发展的需要，有利于本公司半导体业务长远发展。

   士兰微

   2017年三季度士兰微打通了一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。打通之后士兰微会进一步加强这方面 的技术研发，公司预计在未来1-2年内会有产品突破，能够有新产品尽快推到市场上。2018年10月，杭州士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线正式开工。

   2017年12月，士兰微电子与厦门市海沧区人民政府签署了《战略合作框架协议》。士兰微电子公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币，在厦门规划建设两条12英寸90～65nm的特色工艺芯片（功率半导体芯片及MEMS传感器）生产线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件（第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片）生产线。

   聚灿光电

   聚灿光电目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。

   南大光电

   南大光电的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。