为超越台积电，传三星直接跳过4nm研发3nm制程技术
类别：行业新闻发表于：2020-07-03 09:25
摘要：三星和台积电的制程大战仍在继续，据外媒体报道，有产业链人士透露消息称，三星电子已对芯片工艺路线图进行了调整，将跳过4nm工艺，由5nm直接上升到3nm 环绕栅极晶体管。
文章转自：腾讯新闻
三星和台积电的制程大战仍在继续，据外媒体报道，有产业链人士透露消息称，三星电子已对芯片工艺路线图进行了调整，将跳过4nm工艺，由5nm直接上升到3nm 环绕栅极晶体管。
据悉，三星目前正在进行5nm技术研发，并代工部分高通5nm芯片，3nm比5nm制程更先进，激进的三星这次跳过4nm，原因还不知道。
其实，台积电则是在多年前就已开始谋划的3nm工艺，计划2021年风险试产，2022年上半年大规模量产。在6月初的报道中，外媒称台积电已经开始3nm工艺的生产线，早于此前的预期。
三星的4nm原定于2021年量产，可其真实身份无非5nm改良。对于三星取消的原因，一方面是3nm推进顺利，另一方面则是市场竞争需要，如果能抢在台积电之前搞定技术难度更高的3nm GAAFET，无疑将为自己争得可观的机会。
不管是为了在时间上超越台积电，还是对4nm投资不看好，三星和台积电3nm之争将更加激烈。
来源：腾讯新闻
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