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氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展

类别:行业新闻发表于:2020-12-15 15:05
关键字:氮化镓 Micro-LED 显示技术

摘要:在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,并得到学术界与产业界的广泛关注。具有对比度高、响应快、色域宽、功耗低及寿命长等优点,可以满足高级显示应用的个性化需求。然而目前在Micro-LED显示商业化进程中,依然存在一些技术瓶颈尚未解决。应用于Micro-LED晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径。此外利用颜色转换媒介实现单片Micro-LED全彩显示技术尚未成熟。

文章转载自:孜然学术


在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,并得到学术界与产业界的广泛关注。具有对比度高、响应快、色域宽、功耗低及寿命长等优点,可以满足高级显示应用的个性化需求。然而目前在Micro-LED显示商业化进程中,依然存在一些技术瓶颈尚未解决。应用于Micro-LED晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径。此外利用颜色转换媒介实现单片Micro-LED全彩显示技术尚未成熟。


现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的下一代显示技术,。Micro-LED显示具有自发光、 高效率、低功耗、高集成度、高稳定性等诸多优点,且体积小、灵活性高、易于拆解与合并,能够应用于现有从小尺寸到大尺寸的任何显示应用场合中。且在很多应用场景下,Micro-LED显示比液晶显示(LCD)和有机发光二极管显示(OLED)能发挥出更优异的显示效果。尽管Micro-LED显示技术正迅速发展,但由于LED从照明应用向显示应用的转变,使其对LED外延及器件制备等方面提出了更高的要求和挑战。此外,由于巨量转移技术不够成熟,目前大多数Micro-LED显示只能实现单色显示,且显示面板小于2英寸(5.08 cm)。实现高ppi的Micro-LED全彩显示仍需进一步的深入研究和发展。因此本文综述了目前Micro-LED显示在晶圆外延、器件制备方面存在的问题以及当前的研究现状。


衬底材料


衬底材料的选择以及外延技术对于Micro-LED器件的性能有着至关重要的影响。由于Micro-LED芯片 较传统芯片微缩至小于50mm ,其极高的良率、均匀性要求对于衬底的选择和外延技术提出了更高的要求与挑战。应用于高分辨显示时,Micro-LED的注入电流密度非常低,由缺陷所导致的非辐射复合尤为突出,大大降低了Micro-LED的光输出效率,因此对于Micro-LED则需要更低缺陷密度的外延片。不同晶体材料具有不同的优势,可以对应于不同的应用层面。目前,GaN基蓝绿光LED的衬底材料主要包括蓝宝石衬底、硅衬底和GaN衬底等。


波长均匀性


在市场以及工艺成本驱动下,6英寸(15.24cm)及更大尺寸LED晶圆逐渐成为主流。随着衬底尺寸的加大,外延生长过程中的波长均匀性控制越来越成为挑战。优化MOCVD外延生长过程中气流均匀性对LED波长均匀性的提升起着至关重要的作用。其中8英寸(20.32cm)硅衬底LED波长变化标准差为0.854nm,超过85%的区域发光峰波长偏移小于2.5 nm。对应的PL mapping与发光波长统计如图1所示,发光峰波长为465.7 nm。

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图 1 PL mapping 与发光波长统计图


缺陷控制


GaN和AlN等缓冲插入层经常被用于蓝宝石衬底LED外延生长中,硅衬底LED制备过程中的缓冲层 通常有AlGaN/GaN,AlN/GaN超晶格等,缓冲层的插入可以为GaN生长提供成核中心,促进 GaN 的 三维岛状生长转变为二维横向生长,降低GaN的位错密度 ,如图2所示纳米图形蓝宝石衬底生长模式。


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图 2 蓝宝石纳米衬底生长模式示意图


Micro-LED器件制备与效率衰减


而现有研究表明,mLED器件随着尺寸减小,其外量子效率产生显著衰减,且峰值效率向高电流密度方向移动。如图3 所示,mLED器件从 500 mm减小到 10 mm,其外量子效率从 10%衰减到 5%,此外峰值效率对应的电流密度 从 1 A/cm2 移动到 30 A/cm2。而应用于微显示的mLED而言,其工作电流密度一般小于 5 A/cm2,因此峰值电流的移动进一步降低了mLED器件工作的效率 。


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图 3 mLED器件外量子效率随尺寸的变化关系图


随着mLED尺寸减小,器件的Surface-Volume-ratio比值增加,因此表面相关的非辐射复合导致的效率衰 减在小尺寸mLED (<10mm )中更为显著。除此之外,针对表面非辐射复合,在mLED器件制备工艺中引入表面化学处理与钝化工艺,可有效提高器件量子效率。如图 4所示,未经表面化学处理的LED器件,随着尺寸从100mm减小到10mm,其外量子效率从23%衰减到15%。而对LED侧壁进行化学处理后,其10mm器件的外量子效率获得了显著提升(~23%)。此外,LED器件峰值电流密度也没有产生显著移动,呈现出尺寸依赖特性。


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图 4mLED器件经表面处理后的外量子效率随尺寸的变化关系图


结论展望


Micro-LED显示是一种新型自发光显示技术,被认为是下一代主流显示技术的重要选择。本文从衬底外延、器件制备两个个方面,总结了Micro-LED显示目前存在的问题及研究现状。由于Micro- LED芯片远小于传统照明芯片,且其对器件良率、波长均匀性的苛刻要求,对衬底选择及外研技术提出新的挑战。此外,Micro-LED器件的发光效率随尺寸减小产生显著衰减。目前通过优化的表面处理与钝化工艺,可缓解 10mm 以上器件的效率衰减现象,但在 10mm 以下的区间,依然没有有效的途径来改善器件的发光效率。

来源:材料科学与工程

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