延世大学开发高分辨率三基色Micro LED显示技术

据悉，延世大学电气电子工程系 Jong-hyun Ahn 教授团队的 Hwang Bo-min、Hu Luhing、Hoang Anh-Tuan 和 Choi Jae-yong 使用 MoS2 半导体和量子点实现高分辨率三基色Micro LED显示技术。

该技术发表在“Nature Nanotechnology”中，并且这是世界上首次使用二维半导体和量子点开发集成技术，有望用于开发下一代高性能增强现实 (AR) 和虚拟现实 (VR) 显示器。

为制造Micro LED 显示器，需经过将三个颜色的Micro LED 芯片单独转移到背板电路板上的复杂过程。虽然这种制造方法适用于低分辨率的大型显示器的生产，但无法满足需要高分辨率和高速操作的下一代增强现实（AR）和虚拟现实（VR）显示器。

为了克服开发Micro LED显示器的技术限制，研究团队直接在用于蓝色 LED 的氮化镓 (GaN) 晶圆上形成二维半导体二硫化钼 (MoS2)，然后集成半导体电路以创建单独的半导体电路，成功实现了全球首个500 PPI（每英寸Micro LED光源数量）、无需转移工艺的高分辨率Micro LED显示屏。此外，研究团队还开发了一项技术，通过在蓝色GaN Micro LED上打印量子点实现三基色，可以显着提高显示器的工艺良率并降低生产成本。另外，该研究团队所开发的技术不仅可以简化Micro LED 显示器的复杂制造过程，还可以实现高分辨率。