国星光电自主研发的Micro-LED巨量转移技术现处于小批验证阶段

类别：行业新闻发表于：2022-10-08 15:34

摘要：10月7日，国星光电在投资者互动平台上表示，公司自主研发Micro-LED巨量转移技术，现处于小批验证阶段。

10月7日，国星光电在投资者互动平台上表示，公司自主研发Micro-LED巨量转移技术，现处于小批验证阶段。

IT之家了解到，今年9月，国星光电宣布推出第二代Micro-LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro-LED全彩显示屏，像素间距300微米（P0.3），采用TFT驱动实现了8bit（256 灰阶）色深的显示效。

国星光电表示，nStar Ⅱ玻璃基主动式驱动Micro-LED显示屏是通过巨量转移技术将Micro-LED微型芯片键合到玻璃基板上，利用TFT驱动实现高清画面显示。

据介绍，国星光电目前已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro-LED领域多项关键技术上取得突破，Mini/Micro-LED领域已申请发明专利100余件。

来源：亚威资讯

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