国星光电研究院推出新能源领域用KS系列SiC MOSFET

剑指第三代半导体领域，国星光电产品布局再完善！近日，国星光电研究院乘势推出以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品，可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景，为新能源市场再添实力猛将！

SiC MOSFET里的“星”封装

国星光电NSiC-KS

随着工业4.0时代及新能源汽车的快速普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不断提高，新型高频器件SiC MOSFET因其耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点，正以迅猛发展之势抢占新能源市场。

国星光电凭借领先的封装技术优势，通过科学系统的设计，采用带辅助源极管脚的TO-247-4L作为NSiC-KS系列产品的封装形式，并将之应用于SiC MOSFET上，取得分立器件在开关损耗、驱动设计等方面的新突破。

国星光电NSiC-KS亮点在何处？

比一比，就知道

以国星光电第三代半导体 NSiC系列 1200V 80mΩ的SiC MOSFET产品为例，一起来对比常规TO-247-3L封装和以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS封装在“封装设计”“开通损耗”“开关损耗”及“开关频率及误启风险”四个方面的差异。

快速阅读，先看结论：

采用NSiC-KS封装的SiC MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，使得NSiC-KS封装的SiC MOSFET开关损耗、开通损耗均明显降低，开关频率更快，寄生电感与误开启风险更低。

国星光电NSiC-KS SiC MOSFET产品

多款选择，因需而至

为满足市场需求，国星光电NSiC-KS SiC MOSFET产品有多款型号选择。同时，基于公司具备完整的SiC分立器件生产线，国星光电可根据客户需要，提供高性能、高可靠性、高品质的产品技术解决方案。

厚积薄发，走得更远。国星光电持续实施创新驱动发展战略，走深走实“三代半封测”领域，积极打破关键技术壁垒，为我国第三代半导体国产化提供更多高品质的“星”方案，注入磅礴“星”力量。