国星光电:MicroLED领域多项关键技术取得突破,已申请专利100余件

类别：企业动态发表于：2022-12-05 14:01

摘要：国星光电12月2日表示，目前公司已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破，Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件。

国星光电12月2日表示，目前公司已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破，Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件，最新推出第二代MicroLED新品——nStarⅡ，像素间距300微米（P0.3），实现了8bit（256灰阶）色深的显示效果，同时在巨量转移及巨量键合上获得突破，其综合良率达99.99%，未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。

接下来，国星光电布局深耕新型微显示赛道，不断开发新品提升产品性能，在玻璃基Micro LED技术路线方面，将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表；在硅基Micro LED技术路线方面，重点布局AR显示领域。

来源：屏显世界

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