芯片、封装全都有， Micro LED技术上获得这些突破...

   近日，行家说Display在企查查了解到江西兆驰半导体有限公司、安徽芯瑞达科技股份有限公司、青岛歌尔智能传感器有限公司、绍兴君万微电子科技有限公司、罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司等企业在Micro LED专利申请方面获得新进展。

   故此，行家说Display按企查查官网最 新公布时间线倒序梳理如下：

   截止12月27日，绍兴君万微电子科技有限公司的《一种蓝宝石衬底不剥离的Micro-LED微型显示器件及其制备方法》专利处于申请公布阶段。

   据悉，绍兴君万微电子该发明提供一种蓝宝石衬底不剥离的Micro LED微型显示器件制备方法。

   其中包括：

   1）首先在蓝宝石晶圆上制备密度LED微像素阵列，P型氮化镓外延层靠近蓝宝石衬底，多层量子阱层在P型氮化镓外延层上生长，N型氮化镓外延层生长在多量子阱上，N极的导电电极外延生长在蓝宝石衬底上方两侧边缘；

   2）在生长完毕LED的蓝宝石晶圆上涂布色转换层，在色转换层固化后在其上方制备彩色滤光层实现RGB色彩显示；

   3）将蓝宝石衬底打磨，待减薄完毕，光刻光阻后，刻蚀蓝宝石至P型氮化镓层，并N极的导电电极；

   4）沉积P电极金属及N电极金属,并图形化形成P电极及N电极的引线；

   5）将蓝宝石晶圆进行分切，切割出N个小面板；

   6）LED与驱动背板进行倒装键合并灌封后完成LED显示器件芯片的制备。

   截止12月23日，江西兆驰半导体有限公司的《一种Micro-LED芯片封装方法》专利获授权。

   据了解，兆驰半导体该发明提供一种Micro LED芯片封装方法。

   封装方法包括：在带有衬底的第 一发光芯片上粘附第二发光芯片，在第二发光芯片的侧面设置第 一导电柱，第 一电极与第二电极通过第 一导电柱相连接，在第二发光芯片上粘附第三发光芯片，在第三发光芯片侧面设置第二导电柱，第三电极与第二电极通过第二导电柱相连接，并延长第 一导电柱，然后在每组芯片组之间填充封装胶，接着在第三发光芯片上做反射层，反射层上沉积金属触点，得到半成品Micro LED芯片，然后切割半成品Micro LED芯片，得到成品Micro LED芯片。

   值得注意的是，兆驰半导体该发明解决了芯片越小的时候，三色发光芯片难以封装在芯片内的问题。

   截止12月23日，安徽芯瑞达科技股份有限公司《Micro&Mini微间距LED显示模块制作方法》专利处于申请公布阶段。

   据悉，芯瑞达该发明公开了Micro&Mini微间距LED显示模块制作方法。

   包括以下步骤：制备Micro&Mini微间距LED显示模块：首先在基板上进行批量预先完成植球；再通过基板上进行批量助焊剂印刷，最后进行Micro LED的转移，放到回流焊烘烤，完成焊接；采用相邻LED单元的间隔PCB表面进行喷印，固定LED芯片，再经过切割得到RGB模块；制备LED显示屏模块；包括B0TTOM基板制作和TOP基板制作。

   值得注意的是，芯瑞达该发明使用MicroPixelLED制备的OnePixelStructure以最为稳定的1by1转移到基板上，提升制程良率，继续沿用折旧原先的固定资产且精简工艺流程来降低制造费用。

   截止12月23日，青岛歌尔智能传感器有限公司的《Micro-LED产品及其制备方法》专利处于申请公布阶段。

   据悉，该公司的发明提供一种Micro LED产品及其制备方法，其中的Micro LED产品及Micro LED显示芯片，在所述Micro LED显示芯片的一侧设置有转接板，在所述转接板的远离所述Micro LED显示芯片的一侧设置有柔性线路板，所述Micro LED显示芯片通过所述转接板与所述柔性线路板电性连接。

   值得注意的是，该发明提供的Micro LED产品及其制备方法能够解决现有的Micro LED产品封装空间利用率低的问题。

   截止12月16日，罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司的《一种Micro-LED显示装置及其制造方法》专利获授权。

   据悉，该公司发明涉及一种Micro LED显示装置及其制造方法，涉及微发光二极管显示制造领域。

   在本发明的Micro LED显示装置的制造方法中，通过将多个所述外延基底转移至所述第 一转移基板，然后再将第 一转移基板上的Micro LED单元转移至驱动基板，有效提高了转移效率。

   且通过在转移工序之前，在任意相邻两个所述Micro LED单元之间形成第 一金属柱，然后形成像素限定材料层以包裹每个所述Micro LED单元和每个所述第 一金属柱，由于第 一金属柱的存在可以避免多个Micro LED单元所组成的发光层变形翘曲，进而可以提高转移精度。

   且由于纳米线网格层的存在，可以提高像素限定材料层与所述第 一金属柱的接合稳固性以及像素限定材料层与Micro LED单元的接合稳固性。