Kubos半导体正通过立方GaN,解决红色MicroLED发光效率衰减问题

   据外媒eetimes报道，近期，总部位于英国的初创公司Kubos半导体提出了一种采用立方GaN的解决方案，有效抑制了强极化场对GaN基红色LED的发光效率的影响。

   过去，大多数器件制造商开始选择使用磷化铟镓（InGaP）半导体材料来制造红色LED器件。可当Micro LED应用及其扩展问题出现后，遇到新的挑战。

   虽然在解决这个问题上，从过去到现在，不同的人有不同的想法，并尝试各种不同的方案。

   但Kubos半导体仍然坚持认为，通用材料系统是蓝色、绿色和红色Micro LED的最终前进之路，而这种可以赢得未来胜利的材料是另一种GaN。

   据悉，Kubos半导体创始人David Wallis多年来一直在研究一种立方GaN。由于立方GaN具有更高的晶体对称性，这种GaN变体能够不受强极化场的影响，有效抑制了强极化场对GaN基红色LED的发光效率的影响。

通过晶片探测测试的150毫米GaN LED晶圆

来源：Kubos 半导体

   另外，Kubos半导体在GaN生长及工艺上有相应的方案。据O'Brien介绍，硅衬底可以与CMOS工艺兼容，由于薄SiC层和立方GaN之间的低晶格失配，我们让GaN的生长进入立方状态。另随着SiC功率器件的商业化，这种SiC薄层的成本将显著降低，目前他们已经开始实现使用量子点或在蓝宝石衬底上生长GaN的Micro LED制造方法。

   值得注意的是，Kubos半导体打算在更大的200毫米硅基碳化硅晶圆上生长立方GaN，根据O'Brien的说法，这是“真正的最 佳成本点”。

   另外，Kubos半导体最近制造了一款50微米直径的立方GaN非封装Micro LED芯片，它可以发射红光。他们希望通过该产品证明：使用立方GaN方案制造更长波长Micro LED是可能的。

   目前，Kubos半导体正在增加其晶圆供应，以便支持客户定制其专有红色Micro LED芯片。据O'Brien的估计，这些初始LED器件的外部量子效率约为3%。

Kubos半导体制作的直径为50微米的绿色、琥珀色和红色Micro LED器件，来源：Kubos半导体

   O'Brien表示，接近20%的发光效率目标未来是可实现的。且在未来，这种Micro LED技术将在延长电池寿命方面变得非常有意义，并相信这一目标将5年内实现。