信越化学推出QSR衬底，适用于Micro LED生长

   近日，信越化学宣布推出用于GaN功率器件的QST（Qromis衬底技术）衬底。

   QST衬底的热膨胀系数（CTE）与GaN相同，因此能抑制GaN外延层翘曲开裂。信越化学表示，这种衬底可实现大直径、高质量的厚GaN外延生长，适用于功率器件和射频器件，以及Micro LED显示器的MicroLED生长。

   除此之外，该公司还表示将销售GaN生长QST衬底。目前已推出直径为6英寸和8英寸的衬底，并正在开发12英寸衬底。

   信越化学表示，公司一直在稳步改进QST衬底技术。针对更厚的GaN薄膜，还推动了模板衬底的供应，这些模板衬底带有优化缓冲层，能够实现厚度超过10 μm的稳定外延生长。

   据悉，信越化学与冲电气共同开发了一项技术，可从QST衬底上剥离GaN，并利用晶体膜键合（CFB）技术将其键合在不同材料制成的衬底上。

   对于制造GaN器件的客户，信越化学将供应QST衬底或GaN生长QST衬底，而冲电气工业将通过合作或授权的方式提供其CFB技术。两家公司希望通过这种方式为垂直功率器件的发展做出贡献。